Эта публикация цитируется в 2 статьях

К вопросу об электромиграции расплавленных включений в системе алюминий–кремний

А. А. Скворцов, В. Е. Мурадов, Е. А. Каштанова

Московский государственный технический университет "МАМИ"

Аннотация: Проведен сравнительный анализ формирования и электромиграции расплавленных включений алюминий–кремний (Al–Si) в кристаллах кремния и алюмниия. Обнаружено, что в температурном интервале $T$ = 850–920 K в результате контактного плавления в рассматриваемой системе формируются расплавленные включения размером 50–800 $\mu$m. Обнаружена их электростимулированная миграция ($j\le$ 4 $\cdot$ 10$^6$ A/m$^2$) вдоль линий напряженности электрического поля. По размерной зависимости удельной скорости перемещения $W/j$ расплавленных зон Al–Si в кремнии и алюминии сделан вывод о механизмах перемещения расплавленных зон: это плавление и кристаллизация на межфазных границах за счет термоэлектрических явлений и электромиграции атомов в объеме включения. Экспериментально определены численные значения эффективных зарядов атомов Al и Si в расплавах Al–Si, а также коэффициенты Пельтье системы кристалл–расплав.

Поступила в редакцию: 28.12.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2011, 37:6, 507–510

Реферативные базы данных:

•