И. В. Грехов, Л. С. Костина, В. В. Козловский, В. Н. Ломасов, А. В. Рожков, “Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния”, Письма в ЖТФ, 2011, том 37, выпуск 9,страницы 105

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния

И. В. Грехов^ab, Л. С. Костина^ab, В. В. Козловский^ab, В. Н. Ломасов^ab, А. В. Рожков^ab

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет

Аннотация: Показана возможность создания профильного распределения концентрации рекомбинационных центров в высоковольтных кремниевых $p^+Nn^+$-диодах путем обычного электронного облучения в определенном диапазоне энергий. Приводятся результаты исследования основных статических и динамических характеристик.

Поступила в редакцию: 13.12.2010