Аннотация:
Разработана теория диффузного рассеяния на полупроводниковых системах с квантовыми точками (КТ) эллипсоидальной формы. Для вычисления упругих деформаций вне КТ использован метод разложения по мультиполям. Выражение для поля атомных смещений представлено с точностью до квадрупольного члена разложения. В рамках данного подхода получено аналитическое решение для диффузного рассеяния от кристаллической среды с эллипсоидальными включениями. Проведено численное моделирование карт распределения интенсивности рассеяния в обратном пространстве для разных отношений высоты и латерального радиуса квантовой точки.