Л. М. Сорокин, А. Е. Калмыков, В. Н. Бессолов, Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, Н. В. Веселов, “Структурная характеризация эпитаксиальных слоев GaN на кремнии: влияние буферных слоев”, Письма в ЖТФ, 2011, том 37, выпуск 7,страницы 72

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Структурная характеризация эпитаксиальных слоев GaN на кремнии: влияние буферных слоев

Л. М. Сорокин^ab, А. Е. Калмыков^ab, В. Н. Бессолов^ab, Н. А. Феоктистов^ab, А. В. Осипов^ab, С. А. Кукушкин^ab, Н. В. Веселов^ab

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты электронно-микроскопического исследования поперечных сечений системы GaN/AlN/3C-SiC/Si(111). Буферный слой карбида кремния нанометровой толщины был получен оригинальным методом твердофазной эпитаксии. Последующие слои – нитрида галлия и алюминия – выращивались хлоридной газовой эпитаксией. В слоях нитрида галлия не выявлено прорастающих дислокаций, в них также отсутствуют трещины любого масштаба. Основная часть дефектов в GaN в виде скоплений дислокаций локализована вблизи границы раздела GaN–AlN, которые параллельны этой границе. Плотность дислокаций в слоях GaN составила (1–2) $\cdot$ 10$^9$ cm$^{-2}$, что, согласно литературным данным, находится на уровне минимальных значений. В буферном слое AlN выявлены нанопоры, которые снижают уровень напряжений на границе раздела, что почти полностью подавляет появление прорастающих дислокаций.

Поступила в редакцию: 07.12.2010