Эта публикация цитируется в 6 статьях

Влияние микроструктуры эпитаксиальных слоев на форму рентгеновских дифракционных пиков

Р. Н. Кютт^a, А. А. Дышеков<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х. М. Бербекова, г. Нальчик

Аннотация: Измерены дифракционные отражения от эпитаксиальных слоев с разным типом микроструктуры в брэгговской и лауэвской геометрии. На основе аппроксимации функцией Войта проанализирована форма дифракционных пиков $\theta$- и $\theta$–2$\theta$-мод сканирования. Показано, что для более регулярных систем дислокаций преобладает гауссовская составляющая, чем хаотичнее распределены дислокации, тем больше доля лоренцовской составляющей в форме пиков. На дальних крыльях распределения интенсивность спадает быстрее войт-функции.

Поступила в редакцию: 19.11.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2011, 37:4, 306–308

Реферативные базы данных:

•