В. И. Борисов, В. Г. Лапин, В. Е. Сизов, А. Г. Темирязев, “Транзисторные структуры с управляемым потенциальным рельефом одномерного квантового канала”, Письма в ЖТФ, 2011, том 37, выпуск 3,страницы 85

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Транзисторные структуры с управляемым потенциальным рельефом одномерного квантового канала

В. И. Борисов^ab, В. Г. Лапин^ab, В. Е. Сизов^ab, А. Г. Темирязев^ab

^a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
^b Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.

Аннотация: На основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом методом локального анодного окисления с помощью сканирующего зондового микроскопа созданы структуры с одномерным проводящим каналом и трехсекционными боковыми управляющими затворами. Показано, что затворы позволяют управлять продольным потенциальным профилем канала. На измеренных зависимостях кондактанса канала от напряжений на затворах наблюдались плато, в том числе не кратные $2e^2/h$, и максимумы, положение и вид которых определяются соотношением потенциалов на затворах.

Поступила в редакцию: 23.06.2010