Эта публикация цитируется в 9 статьях

Прямое наблюдение релаксации проводимости в $\gamma$-облученном кремнии $n$-типа под влиянием импульсов ультразвука

Я. М. Олих, Н. Д. Тимочко

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: В облученном и частично отожженном (280$^\circ$C) $n$-Si–Fz в интервале температур $T$ = 110–180 K впервые обнаружено обратимое изменение электропроводимости $\sigma_{\mathrm{US}}$ при импульсном ультразвуковом нагружении (продольные волны: частота 6–10 MHz, интенсивность до 4 $\cdot$ 10$^3$ Wt $\cdot$ m$^{-2}$, длительность импульса 10$^{-5}$–10$^{-3}$ s). Установлено, что температурные зависимости акустоиндуцированных изменений $\sigma_{\mathrm{US}}$ (времена нарастания – $\tau_i$ и спада – $\tau_d$) описываются уравнениями Аррениуса. Из наклона экспериментальных $\tau_{i,d}(T)$ определены энергии активации соответствующих процессов $U_i\approx$ 0.09 eV, $U_d\approx$ 0.13 eV, $\tau^0_i\approx$ 4 $\cdot$ 10$^{-8}$ s, $\tau^0_d\approx$ 10$^{-9}$ s. Наблюдаемый эффект интерпретирован как акустоиндуцированный переход метастабильного дефекта между его состояниями.

Поступила в редакцию: 04.08.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2011, 37:1, 37–40

Реферативные базы данных:

•