Эта публикация цитируется в 4 статьях

Фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP для спектрального диапазона 2.5–4.9 $\mu$m

В. В. Шерстнев, Д. Старостенко, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Созданы фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.94}$Sb$_{0.06}$/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP/InAs с диаметрами фоточувствительной площадки 0.3 mm, работающие при комнатной температуре в среднем ИК-диапазоне спектра 2.5–4.9 $\mu$m. Отличительной особенностью фотодиодов является токовая монохроматическая чувствительность в максимуме спектра ($\lambda_{\mathrm{max}}$ = 4.0–4.6 $\mu$m), достигающая значений 0.6–0.8 A/W, значение плотности обратных темновых токов (1.3–7.5)$\cdot$10$^{-2}$ A/cm$^2$ при напряжении обратного смещения 0.2 V. Дифференциальное сопротивление в нуле смещения достигает величины 700–800 $\Omega$. По нашим оценкам, обнаружительная способность фотодиодов в максимуме спектральной чувствительности составляет (5–8) $\cdot$ 10$^8$cm $\cdot$ Hz$^{1/2}$ $\cdot$ W$^{-1}$.

Поступила в редакцию: 11.08.2010

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2011, 37:1, 5–7

Реферативные базы данных:

•