Ю. Н. Бузынин, М. Е. Викторов, А. В. Водопьянов, С. В. Голубев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. Ю. Лукьянов, Д. А. Мансфельд, Е. В. Скороходов, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, “Рост пленок InN методом металлоорганической газофазной эпитаксии при активации азота в плазме, создаваемой гиротронным излучением”, Письма в ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 24,страницы 86

Эта публикация цитируется в 1 статье

Рост пленок InN методом металлоорганической газофазной эпитаксии при активации азота в плазме, создаваемой гиротронным излучением

Ю. Н. Бузынин^ab, М. Е. Викторов^ab, А. В. Водопьянов^ab, С. В. Голубев^ab, М. Н. Дроздов^ab, Ю. Н. Дроздов^ab, А. Ю. Лукьянов^ab, Д. А. Мансфельд^ab, Е. В. Скороходов^ab, О. И. Хрыкин^ab, В. И. Шашкин^ab

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Впервые методом металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота в электронно-циклотронном резонансном разряде, создаваемом излучением технологического гиротрона, при низких (350$^\circ$C) температурах роста получены пленки InN гексагональной модификации на подложках иттрием стабилизированного циркония, yttria stabilized zirconia (YSZ) ориентаций (111) и (100) и Al$_2$O$_3$ (0001) со скоростью роста 1 $\mu$m $\cdot$ h$^{-1}$. Пленки, выращенные без буферного слоя, имеют структуру текстурированного поликристалла. С использованием двойного буферного слоя InN/GaN на подложках Al$_2$O$_3$ (0001) получены монокристаллические пленки InN. Приводятся данные по морфологии, структуре и фотолюминесцентным свойствам выращенных пленок.

Поступила в редакцию: 06.07.2012