Эта публикация цитируется в 3 статьях

Новая альтернатива вторичным ионам CsM+ для послойного анализа многослойных металличеcких структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии

М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, В. Н. Полковников, С. Д. Стариков, П. А. Юнин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведено сопоставление результатов послойного анализа многослойных металлических структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии с использованием различных типов регистрируемых вторичных ионов. Впервые показано, что для повышения разрешения по глубине наряду с известными вторичными ионами CsM$^+$ (M = La, Pd, Mo) могут быть использованы два новых варианта: M$^+$ при распылении ионами цезия и OM$^-$ при распылении ионами кислорода. Для многослойных структур Mo/Si использование элементарных вторичных ионов Mo$^+$ и Si$^+$ при распылении ионами Cs и зондировании кластерными ионами Bi$^+_3$ обеспечивает наилучшее разрешение по глубине.

Поступила в редакцию: 29.06.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:1, 46–50

Реферативные базы данных:

•