RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 24, страницы 33–38 (Mi pjtf9032)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Влияние гетероструктуры In$_{0.56}$Ga$_{0.44}$P/Ge на диффузию фосфора в германии при формировании многокаскадного солнечного элемента

С. П. Кобелеваab, И. М. Анфимовab, С. Ю. Юрчукab, Е. А. Выговскаяab, Б. В. Жалнинab

a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
b Научно-исследовательский институт "Квант", г. Москва

Аннотация: Изучали профили фосфора в германии, легированном галлием, полученные при формировании первого каскада трехкаскадного солнечного элемента на основе структур A$^3$B$^5$/Ge (Ga). Методом вторичной ионной масс-спектрометрии получены профили фосфора и галлия в германии после обработки в потоке фосфина и в структуре In$_{0.01}$Ga$_{0.99}$As/In$_{0.56}$Ga$_{0.44}$P/Ge. Отмечено, что основное количество фосфора поступает из соединения In$_{0.56}$Ga$_{0.44}$P одновременно с диффузией галлия. Проведены расчеты диффузионных профилей фосфора в германии. Показано, что диффузия фосфора из буферного слоя In$_{0.56}$Ga$_{0.44}$P, являющегося одновременно источником галлия, является координатно-зависимой и для ее описания необходимо привлечение математических моделей, учитывающих не только диффузионную, но и дрейфовую компоненту потока атомов фосфора.

Поступила в редакцию: 07.08.2012


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:1, 27–29

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026