И. И. Ижнин, Г. В. Савицкий, Е. И. Фицыч, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, К. Д. Мынбаев, “Релаксация радиационно-нарушенного слоя, формирующегося при ионно-плазменном травлении твердых растворов CdHgTe”, Письма в ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 24,страницы 10

Релаксация радиационно-нарушенного слоя, формирующегося при ионно-плазменном травлении твердых растворов CdHgTe

И. И. Ижнин^a, Г. В. Савицкий^a, Е. И. Фицыч^a, С. А. Дворецкий^b, Н. Н. Михайлов^b, В. С. Варавин^b, К. Д. Мынбаев^c

^a Научно-производственное предприятие "Карат", г. Львов
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследована релаксация электрических параметров радиационно-нарушенных слоев, образующихся при ионно-плазменном травлении образцов твердых растворов CdHgTe. Показано, что начальная концентрация донорных центров, формирующихся из-за радиационных нарушений, а также динамика их распада в ходе старения образцов (релаксации) определяются составом твердого раствора. Значение подвижности носителей в слоях после релаксации также зависит от состава твердого раствора.

Поступила в редакцию: 09.08.2012