Эта публикация цитируется в 1 статье

Релаксация магнитосопротивления монокристаллического (La$_{0.5}$Eu$_{0.5}$)$_{0.7}$Pb$_{0.3}$MnO$_3$ после воздействия импульсного магнитного поля

А. А. Быков, С. И. Попков, К. А. Шайхутдинов, К. А. Саблина

Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск

Аннотация: Проведены измерения магнитосопротивления замещенного манганита лантана (La$_{0.5}$Eu$_{0.5}$)$_{0.7}$Pb$_{0.3}$MnO$_3$ в импульсном магнитном поле $H$ = 250 kOe в различных температурах. Обнаружено, что зависимость параметра релаксации магнитосопротивления $\tau(t)$ в различных температурах коррелирует с ходом температурной зависимости электросопротивления $R(T)$. Предложен механизм релаксации, связанный с релаксацией проводящей и диэлектрической фаз в объеме образца в условиях фазового расслоения. Показано, что $\tau$ отражает количество границ фаз в объеме.

Поступила в редакцию: 25.06.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:12, 1080–1082

Реферативные базы данных:

•