А. В. Кудрин, М. В. Дорохин, Ю. А. Данилов, “Магнитоуправляемый светодиод с $S$-образной вольт-амперной характеристикой”, Письма в ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 22,страницы 87

Магнитоуправляемый светодиод с $S$-образной вольт-амперной характеристикой

А. В. Кудрин^ab, М. В. Дорохин^ab, Ю. А. Данилов^ab

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Светодиодная $p$–$i$–$n$-гетероструктура с квантовыми ямами InGaAs/GaAs была создана с помощью комбинированного метода газофазной эпитаксии и лазерного нанесения. При температуре 77 K в структуре наблюдались эффект отрицательного дифференциального сопротивления и магнитодиодный эффект. При приложении к структуре импульсного напряжения возможно переключение структуры из низкоомного в высокоомное состояние и гашение ее электролюминесценции внешним магнитным полем.

Поступила в редакцию: 04.08.2012