Эта публикация цитируется в 2 статьях

Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей

С. А. Блохин^ab, А. М. Надточий^ab, С. А. Минтаиров^ab, Н. А. Калюжный^ab, В. М. Емельянов^ab, В. Н. Неведомский^ab, М. З. Шварц^ab, М. В. Максимов^ab, В. М. Лантратов^ab, Н. Н. Леденцов^ab, В. М. Устинов<sup>ab

a</sup> Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр РАН
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Приведены результаты сравнительных исследований внутреннего квантового выхода AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) при изменении расположения массива вертикально связанных квантовых точек (КТ) InGaAs. Вынос КТ-среды непосредственно на границу $i$-области с базой не вызывает изменений в чувствительности ФЭП по сравнению со случаем КТ в $i$-области. Однако вынос КТ в базу или к тыльному потенциальному барьеру приводит к снижению вклада базового слоя в спектры фототока ФЭП и деградации фоточувствительности КТ-среды.

Поступила в редакцию: 25.05.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:11, 1024–1026

Реферативные базы данных:

•