Эта публикация цитируется в 3 статьях

Повышение деградационной стойкости кристаллов полуизолирующего арсенида галлия плазменными обработками

Н. И. Клюй^abc, А. И. Липтуга^abc, В. Б. Лозинский^abc, А. П. Оксанич^abc, В. А. Тербан^abc, Ф. В. Фомовский<sup>abc

a</sup> Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Кременчугский национальный университет имени Михаила Остроградского
^c ОАО "Силикон", Светловодск

Аннотация: Исследование влияния обработки в плазме водорода на деградационную стойкость кристаллов полуизолирующего GaAs к воздействию высокочастотного электромагнитного поля и термическим обработкам. Спектры пропускания ИК-излучения образцов GaAs исследовались в спектральном интервале 5–15 $\mu$m при комнатной температуре. Показано, что пропускание кристаллов, прошедших обработку в плазме водорода, при последующем ВЧ-облучении не только не падало, как это наблюдалось для необработанного кристалла, но даже увеличивалось по сравнению с исходным кристаллом. Предложен механизм, объясняющий влияние обработки в плазме водорода на деградационную стойкость кристаллов и оптическое пропускание полуизолирующего GaAs в ИК-области и учитывающий релаксацию внутренних механических напряжений в приповерхностной области кристалла вследствие плазменной обработки.

Поступила в редакцию: 13.06.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:11, 1016–1019

Реферативные базы данных:

•