Эта публикация цитируется в 3 статьях

Усиление сигнала при стохастическом резонансе в пленке диоксида ванадия

В. Ш. Алиев, С. Г. Бортников, М. А. Демьяненко

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: В планарной структуре с VO$_2$ проводящим каналом, включенной последовательно с нагрузочным резистором, наблюдалось явление стохастического резонанса с усилением входного сигнала в 1.6 раза. Коэффициент передачи отношения сигнал-шум в схеме достигал 250.

Поступила в редакцию: 18.04.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:11, 965–968

Реферативные базы данных:

•