Эта публикация цитируется в 3 статьях

Регулирование количества локальных эмитирующих нановыступов на поверхности полевого эмиттера

О. Л. Голубев^a, В. А. Ивченко<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург

Аннотация: Описывается процедура направленного изменения количества эмитирующих наноразмерных выступов на поверхности полевого вольфрамового эмиттера. Суть процедуры состоит в том, что сначала посредством термополевого воздействия на эмиттер на его поверхности выращивается некое достаточно большое количество выступов, что не представляет, как правило, больших сложностей. Затем посредством процедуры контролируемого снижения величины напряженности приложенного электрического поля при определенной постоянной температуре эмиттера можно уменьшать количество выступов вплоть до единичного выступа на поверхности.

Поступила в редакцию: 10.05.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:10, 944–946

Реферативные базы данных:

•