Эта публикация цитируется в 2 статьях

Отжиг радиационно-компенсированного карбида кремния

А. А. Лебедев^ab, Е. В. Богданова^ab, М. В. Григорьева^ab, С. П. Лебедев^ab, В. В. Козловский<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет

Аннотация: Было проведено исследование процессов восстановления проводимости радиационно-компенсированных эпитаксиальных слоев различных политипов карбида кремния $p$-типа проводимости. Показано, что созданная облучением компенсация SiC сохраняется при отжигах $\le$ 1000$^\circ$C. Практически полное восстановление проводимости происходит при $T\ge$ 1200$^\circ$C. Данный характер отжига радиационной компенсации не зависит от политипа карбида кремния и исходного уровня легирования эпитаксиального слоя. Определенные температуры полного отжига значительно превосходят рабочие температуры приборов SiC.

Поступила в редакцию: 03.05.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:10, 910–912

Реферативные базы данных:

•