А. А. Шемухин, Ю. В. Балакшин, В. С. Черныш, А. С. Патракеев, С. А. Голубков, Н. Н. Егоров, А. И. Сидоров, Б. А. Малюков, В. Н. Стаценко, В. Д. Чумак, “Формирование ультратонких слоев кремния на сапфире”, Письма в ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 19,страницы 83

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Формирование ультратонких слоев кремния на сапфире

А. А. Шемухин^abcd, Ю. В. Балакшин^abcd, В. С. Черныш^abcd, А. С. Патракеев^abcd, С. А. Голубков^abcd, Н. Н. Егоров^abcd, А. И. Сидоров^abcd, Б. А. Малюков^abcd, В. Н. Стаценко^abcd, В. Д. Чумак^abcd

^a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына
^b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
^c Научно-исследовательский институт материаловедения, г. Зеленоград
^d АО "Эпиэл" Зеленоград, Москва, Зеленоград

Аннотация: Показано влияние энергии, дозы и температуры облучения КНС-структур ионами Si$^+$, а также параметров рекристаллизационного отжига на кристалличность кремниевой пленки. Определены условия проведения имплантации и рекристаллизационного отжига.

Поступила в редакцию: 08.06.2012