Особенности изменения электрических параметров кремниевых $p$–$n$-структур, облученных электронами при высоких температурах

А. М. Мусаев

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала

Аннотация: Исследовано влияние температурного режима электронного облучения с энергией 4 MeV на изменение основных электрофизических характеристик диффузионных кремниевых $p^+$–$n$–$n^+$-структур. Показано, что температура кристалла и интегральная интенсивность при облучении существенно влияют на параметры образования радиационных дефектов и на характер их распределения в различных областях кремниевых $p^+$–$n$–$n^+$-структур.

Поступила в редакцию: 29.05.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:10, 904–906

Реферативные базы данных:

•