Эта публикация цитируется в 4 статьях

Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах GaAs

С. А. Ваганов, Р. П. Сейсян

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Экспериментально исследована температурная зависимость края фундаментального поглощения тонких слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Экспериментально определены критическая температура $T_c$ = 135 K, выше которой интегральное поглощение становится постоянным, соответствующие ей значения критического параметра затухания $\Gamma_c$ = 0.248 meV и продольно-поперечного расщепления $\hbar\omega_{\mathrm{LT}}$ = 0.082 meV. Выделена температурная зависимость истинного диссипативного затухания.

Поступила в редакцию: 04.06.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:10, 873–875

Реферативные базы данных:

•