Эта публикация цитируется в 2 статьях

Метод спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, модифицированный для исследования структур с самоформирующимися Ge(Si)/Si(001) наноостровками

Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов, А. Н. Яблонский

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Описана модификация метода спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, позволяющая исследовать процессы поглощения света и излучательной рекомбинации носителей заряда в структурах с Ge(Si)/Si(001) самоформирующимися наноостровками. Особенность развитого метода состоит в регистрации сигнала фотолюминесценции исследуемых структур с временным и спектральным разрешением при различных энергиях кванта возбуждающего излучения. Регистрация с временным разрешением позволила разделить в спектрах фотолюминесценции исследованных структур сигналы, связанные с излучательной рекомбинацией носителей заряда в островках и смачивающем слое, а также выявить паразитные сигналы, связанные с комбинационным рассеянием возбуждающего излучения в кремниевой подложке.

Поступила в редакцию: 10.04.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:9, 828–831

Реферативные базы данных:

•