В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, В. Г. Лапин, А. Б. Соколов, “Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов”, Письма в ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 17,страницы 84

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов

В. М. Лукашин^a, А. Б. Пашковский^a, К. С. Журавлев^b, А. И. Торопов^a, В. Г. Лапин^a, А. Б. Соколов^c

^a Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^c НИИ микроэлектроники и информационно-измерительной техники "НИИ МЭИИТ", Москва

Аннотация: Представлены первые результаты разработки мощных полевых транзисторов на гетероструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дополнительными потенциальными барьерами, оптимизированными для уменьшения роли поперечного пространственного переноса электронов. Транзисторы продемонстрировали рост мощности в полтора раза и при длине затвора 0.4–0.5 $\mu$m и общей ширине затвора транзистора 0.8 mm на частоте 10 GHz имеют коэффициент усиления более 8 dB, удельную выходную мощность более 1.4 W/mm, КПД по добавленной мощности до 50%.

Поступила в редакцию: 17.04.2012