Эта публикация цитируется в 3 статьях

Молекулярно-пучковая эпитаксия (Ga,Mn)As нитевидных кристаллов на поверхности GaAs(100)

А. Д. Буравлев^abc, Г. О. Абдрашитов^abc, Г. Э. Цырлин<sup>abc

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии были впервые получены массивы нитевидных кристаллов (Ga,Mn)As на подложке GaAs(100) при температуре роста 485$^\circ$C. Из данных картин дифракции быстрых электронов на отражение установлено, что ННК в этой системе формируются в кубической кристаллографической фазе.

Поступила в редакцию: 25.04.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:9, 816–818

Реферативные базы данных:

•