Эта публикация цитируется в 1 статье

Стабилизация орторомбической фазы NiF$_2$ в эпитаксиальных гетероструктурах на подложках CaF$_2$/Si(111)

А. Г. Банщиков, К. В. Кошмак, А. В. Крупин, Н. С. Соколов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Впервые методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои NiF$_2$ на подложках CaF$_2$(111)/Si(111). Методами дифракции быстрых электронов и рентгеновской дифрактометрии установлено, что слои кристаллизовались в метастабильной орторомбической фазе и были определены эпитаксиальные соотношения на гетерогранице NiF$_2$/CaF$_2$:(100)$_{\mathrm{NiF}_2}$ $\parallel$ (111)$_{\mathrm{CaF}_2}$, [001]$_{\mathrm{NiF}_2}$ $\parallel$ $[1\bar10]_{\mathrm{CaF}_2}$.

Поступила в редакцию: 31.03.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:9, 809–811

Реферативные базы данных:

•