Низкотемпературные свойства нанокомпозита пористый кремний–индий

Л. М. Сорокин, А. В. Фокин, А. Е. Калмыков, А. В. Черняев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Получен новый нанокомпозитный материал со стабильными свойствами на основе металла (In) и полупроводниковой матрицы (пористый Si). Проведены первые измерения его электрофизических свойств. При низких температурах 1.4–4.2 K в образцах пористый кремний-индий (porSi-In) выявлено положительное магнетосопротивление $\Delta R/R(H=0)\approx$ 600%, связанное с разрушением сверхпроводящего состояния частиц In.

Поступила в редакцию: 20.02.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:9, 789–792

Реферативные базы данных:

•