Эта публикация цитируется в 1 статье

Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb

М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Сформирована и исследована диодная структура с квантовой ямой InGaAs/GaAs, содержащая ферромагнитный слой GaMnSb в качестве полупроводника $p$-типа проводимости. Получена циркулярная поляризация электролюминесценции указанных структур, значение степени поляризации (0.012 в магнитном поле 0.37 T) практически не меняется в диапазоне температур 10–50 K. Циркулярная поляризация обусловлена инжекцией в GaAs спин-поляризованных дырок из ферромагнитного слоя GaMnSb.

Поступила в редакцию: 06.03.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:8, 764–767

Реферативные базы данных:

•