Аннотация:
С использованием $M$-модели для однослойного графена получены аналитические выражения для плотностей состояний димера и двух типов тримера (цепочка и треугольник). Показано, что все особенности в плотностях состояний адатомов, входящих в рассмотренные малые кластеры, определяются именно основными чертами плотности состояний графена-подложки.