Эта публикация цитируется в 2 статьях

Влияние насыщения усиления на ватт-амперную характеристику полупроводникового лазера

Г. С. Соколовский, В. В. Дюделев, А. Г. Дерягин, В. И. Кучинский

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Показано, что при исключении температурных эффектов даже незначительный загиб ватт-амперной характеристики полупроводникового лазера вследствие насыщения усиления свидетельствует о многократном повышении концентрации носителей, необходимой для поддержания генерации, т. е. о значительном повышении “эффективного” порога генерации.

Поступила в редакцию: 06.02.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:7, 613–615

Реферативные базы данных:

•