Н. И. Клюй, А. И. Липтуга, В. Б. Лозинский, А. Н. Лукьянов, А. П. Оксанич, В. А. Тербан, “Применение алмазоподобных углеродных пленок для просветления кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра”, Письма в ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 13,страницы 27

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Применение алмазоподобных углеродных пленок для просветления кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра

Н. И. Клюй^abc, А. И. Липтуга^abc, В. Б. Лозинский^abc, А. Н. Лукьянов^abc, А. П. Оксанич^abc, В. А. Тербан^abc

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Кременчугский государственный университет им. Михаила Остроградского, Украина
^c ОАО "Силикон", Светловодск, Украина

Аннотация: Проведено исследование влияния обработок в плазме различных газов и последующего осаждения алмазоподобных углеродных пленок (АУП) на пропускание кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра. Показано, что осаждение АУП толщиной 1–1.5 $\mu$m позволяет увеличить пропускание GaAs в диапазоне 4–15 $\mu$m, причем предварительная обработка в плазме H$^+$ или Ar$^+$ увеличивает оптическое пропускание структуры АУП-GaAs. Предложен механизм, объясняющий влияние плазменной обработки на оптическое пропускание полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра.

Поступила в редакцию: 07.03.2012