Аннотация:
Проведен лазерный отжиг тонких поликристаллических пленок твердых растворов CdS$_x$Se$_{1-x}$, имеющий пороговый характер и сопровождающийся скачкообразным изменением люминесцентных свойств материала в области отжига. Образуемый в результате локального лазерного отжига топологический рельеф и возможность создания на заданном участке с микронной точностью областей с резко отличающимися физическими свойствами делает разработку перспективной для производства матриц полупроводниковых датчиков.