З. З. Алисултанов, Р. П. Мейланов, А. К. Нухов, Г. М. Мусаев, Э. И. Идаятов, “Электронные состояния системы "квантовая точка–монослой графена–подложка SiO$_2$+$n^+$Si"”, Письма в ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 12,страницы 1

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Электронные состояния системы "квантовая точка–монослой графена–подложка SiO$_2$+$n^+$Si"

З. З. Алисултанов^abc, Р. П. Мейланов^abc, А. К. Нухов^abc, Г. М. Мусаев^abc, Э. И. Идаятов^abc

^a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
^b Институт проблем геотермии Дагестанского НЦ РАН, г. Махачкала
^c Дагестанский государственный университет, г. Махачкала

Аннотация: Исследованы электронные состояния системы "квантовая точка–монослой графена–подложка SiO$_2$+n$^+$Si". Получено аналитическое выражение для величины переходящего заряда в такой системе. Исследуемая система позволяет управлять оптическими свойствами квантовой точки с помощью приложенного электрического поля.

Поступила в редакцию: 20.02.2012