П. Б. Родин, А. М. Минарский, И. В. Грехов, “Численное моделирование пространственно неоднородного переключения кремниевых диодных обострителей”, Письма в ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 11,страницы 78

Эта публикация цитируется в 18 статьях

Численное моделирование пространственно неоднородного переключения кремниевых диодных обострителей

П. Б. Родин^ab, А. М. Минарский^ab, И. В. Грехов^ab

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)

Аннотация: Проведено численное моделирование пространственно неоднородного субнаносекундного переключения высоковольтных кремниевых диодов при задержанном лавинном пробе. Исследована зависимость переходного процесса от соотношения между полной площадью структуры и площадью той части, на которой происходит переключение. Достигнуто согласие с экспериментом по времени переключения (60–70 ps) и качественному виду переходной характеристики. Показано что быстрый спад напряжения на диоде начинается уже после того, как фронт ионизации пробежал большую часть базы, и затем продолжается за счет вторичного лавинного пробоя заполненной свободными носителями базы. Время переключения структуры в проводящее состояние не имеет прямой связи со скоростью движения фронта.