Аннотация:
На примере гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP было показано, что при создании на тыльной стороне фотодиодного чипа криволинейной отражающей поверхности в виде полусферических ямок травления наблюдается повышение квантовой эффективности фотодиодов в 1.5–1.7 раза во всем исследованном интервале длин волн 3–5 $\mu$m. Для полученных фотодиодов (с граничной длиной волны 4.8 $\mu$m) с фоточувствительной площадкой 0.1 mm$^2$ и площадью чипа 0.9 mm$^2$ токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 4.0 $\mu$m составила 0.6 A/W. Плотность обратного темнового тока при напряжении обратного смещения 0.2 V составила величину 4–6 A/cm$^2$.
Полный текст:
PDF файл (301 kB)
