А. Д. Буравлев, А. А. Зайцев, П. Н. Брунков, В. Ф. Сапега, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский, В. М. Устинов, “Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As”, Письма в ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 10,страницы 21

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As

А. Д. Буравлев^abcd, А. А. Зайцев^abcd, П. Н. Брунков^abcd, В. Ф. Сапега^abcd, А. И. Хребтов^abcd, Ю. Б. Самсоненко^abcd, Г. Э. Цырлин^abcd, В. Г. Дубровский^abcd, В. М. Устинов^abcd

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^d Санкт-Петербургский государственный политехнический университет

Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs(100) синтезированы (In,Mn)As квантовые точки. Исследование морфологии поверхности полученных образцов с помощью методики атомно-силовой микроскопии продемонстрировало, что присутствие Mn влияет на поверхностную плотность и размеры самоупорядоченных квантовых точек. Изучено влияние предварительно осажденного подслоя атомов Mn на свойства образцов.

Поступила в редакцию: 06.01.2012