Эта публикация цитируется в 4 статьях

Влияние токовой локализации на внутреннюю квантовую эффективность светодиодов InAsSb/InAs

Я. Я. Кудрик^a, А. В. Зиновчук<sup>b

a</sup> Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Житомирский государственный университет им. И. Франко

Аннотация: Исследовано влияние токовой локализации на внутреннюю квантовую эффективность (ВКЭ) светодиодов InAsSb/InAs среднего инфракрасного (ИК) диапазона ($\lambda$ = 3–5 $\mu$m). Расчет на основе модифицированной модели рекомбинационных коэффициентов показывает, что токовая локализация приводит к значительному уменьшению ВКЭ светодиодов. Эффект уменьшения становится особенно заметным в более длинноволновых светодиодах (23% для $\lambda$ = 3.4 $\mu$m и 39% для $\lambda$ = 4.2 $\mu$m). Представленные результаты свидетельствуют о том, что токовую локализацию необходимо принимать во внимание как один из дополнительных нетермических механизмов падения эффективности в ИК-светодиодах.

Поступила в редакцию: 11.01.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:5, 456–459

Реферативные базы данных:

•