О. Ф. Бутягин, Н. И. Кацавец, И. В. Коган, Д. М. Красовицкий, В. Б. Куликов, В. П. Чалый, А. Л. Дудин, О. Б. Чередниченко, “AlGaAs/GaAs гетероструктуры с квантовыми ямами для длинноволновых ИК-фотоприемников, работающих в спектральной области 8–10 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 9,страницы 81

Эта публикация цитируется в 3 статьях

AlGaAs/GaAs гетероструктуры с квантовыми ямами для длинноволновых ИК-фотоприемников, работающих в спектральной области 8–10 $\mu$m

О. Ф. Бутягин^ab, Н. И. Кацавец^ab, И. В. Коган^ab, Д. М. Красовицкий^ab, В. Б. Куликов^ab, В. П. Чалый^ab, А. Л. Дудин^ab, О. Б. Чередниченко^ab

^a Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
^b АО "Светлана – Рост", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследования гетероструктур AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на установке STE-3532 (производитель “SemiTEq”, С.-Петербург, Россия) и предназначенных для создания длинноволновых инфракрасных фотоприемников, работающих на “межподзонных” переходах. Квантовые ямы в выращенных структурах обладают высокой однородностью и резкими гетерограницами, что подтверждается спектрами фотолюминесценции и вольт-амперными характеристиками темнового тока фотоприемников, изготовленных из выращенных гетероструктур. Такие фотоприемники имеют спектр фоточувствительности в окне прозрачности атмосферы (8–10 $\mu$m) и параметры, позволяющие использовать их в широкоформатных матрицах для тепловизионных систем нового поколения.

Поступила в редакцию: 12.09.2011