Эта публикация цитируется в 4 статьях

Выращивание кристаллов Bi$_{12}$SiO$_{20}$ большого диаметра (85 mm)

Д. С. Панцуркин^a, В. Н. Шлегель^a, В. М. Мамедов^b, М. Г. Васильев^b, В. С. Юферев<sup>b

a</sup> Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, г. Новосибирск
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: С использованием компьютерного моделирования найдены условия для воспроизводимого выращивания совершенных кристаллов Bi$_{12}$SiO$_{20}$ с ориентацией $\langle$110$\rangle$ низкоградиентным методом Чохральского, когда фронт кристаллизации полностью занят гранью (110). Получены кристаллы диаметром 85 mm, длиной 200 mm и весом 10 kg. Плотность дислокации в выращенных кристаллах не превосходит 10 cm$^{-2}$, а неоднородность коэффициента преломления не более 10$^{-3}$.

Поступила в редакцию: 06.12.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:5, 432–435

Реферативные базы данных:

•