RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 9, страницы 31–36 (Mi pjtf8839)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Коллективные эффекты в системе структурных дефектов нитрида галлия в условиях гомоэпитаксии на пористой подложке

М. Г. Мынбаеваab, А. Е. Николаевab, А. А. Ситниковаab, Р. В. Золотареваab, К. Д. Мынбаевab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "Совершенные кристаллы", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Приводятся результаты экспериментов по гомоэпитаксии нитрида галлия на подложки с наноструктурированным объемом. Впервые сообщается о механизме, позволяющем исключить дислокации подложки из числа источников прорастающих дислокаций в наращиваемых на ней гомоэпитаксиальных слоях.

Поступила в редакцию: 26.12.2011


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:5, 412–414

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026