Аннотация:
Приводятся результаты экспериментов по гомоэпитаксии нитрида галлия на подложки с наноструктурированным объемом. Впервые сообщается о механизме, позволяющем исключить дислокации подложки из числа источников прорастающих дислокаций в наращиваемых на ней гомоэпитаксиальных слоях.