Эта публикация цитируется в 3 статьях

Исследование свойств слоев узкозонных (0.3–0.48 eV) твердых растворов A$^3$B$^5$, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Р. В. Лёвин, А. Г. Дерягин, В. И. Кучинский, Б. В. Пушный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы процессы эпитаксиального роста узкозонных (с шириной запрещенной зоны $E_g\approx$ 0.3–0.48 eV) твердых растворов GaInAsSb и InAsPSb на подложках InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при пониженном давлении (76 Torr). Показано, что при выбранных условиях выращивания слои InAsPSb обладают высоким кристаллическим совершенством, твердые растворы Ga$_{1-x}$In$_x$As$_y$Sb$_{1-y}$ и InAs$_y$P$_z$Sb$_{1-y-z}$ имеют составы, близкие к InAs (0.86 $<x<$ 0.93, 0.62 $<y<$ 0.9, 0.17 $<z<$ 0.26), и демонстрируют фотолюминесценцию при комнатной температуре.

Поступила в редакцию: 14.11.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:5, 409–411

Реферативные базы данных:

•