Эта публикация цитируется в 3 статьях

Арсенид-галлиевые $p$–$i$–$n$-структуры для детекторов рентгеновского излучения на германиевых и арсенид-галлиевых подложках

Ю. В. Жиляев, Д. И. Микулик, А. В. Насонов, А. Орлова, В. Н. Пантелеев, Н. К. Полетаев, Л. М. Федоров, М. П. Щеглов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Рассмотрены особенности создания арсенид-галлиевых $p$–$i$–$n$-структур на германиевой подложке. Определены режимы роста методом ХГФЭ, позволяющие получить $p$–$i$–$n$-структуры высокого качества с электрофизическими характеристиками, близкими к аналогичным при гомоэпитаксии. Исследованы спектры экситонной фотолюминесценции при разных толщинах ультрачистого слоя GaAs и при разных условиях роста.

Поступила в редакцию: 14.11.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:5, 399–401

Реферативные базы данных:

•