Эта публикация цитируется в 1 статье

Расчет функции распределения GaAs полупроводниковых наноигл по размерам

А. Д. Большаков^a, В. Г. Дубровский<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский академический университет
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведен теоретический анализ эволюции во времени ансамбля GaAs полупроводниковых наноигл, выращиваемых на рассогласованных подложках (Si или сапфир). Расчет выполнен в предположении гауссового закона нуклеации наноиглы и постоянства ее формы в ходе дальнейшего роста. Определена функция распределения наноигл по размерам в различные моменты времени. Полученные результаты могут использоваться при оптимизации ростовых методик для получения ансамблей наноигл с заданной морфологией.

Поступила в редакцию: 04.12.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:4, 358–360

Реферативные базы данных:

•