М. С. Буяло, А. А. Горбацевич, А. Ю. Егоров, И. М. Гаджиев, И. О. Бакшаев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, Е. Л. Портной, “Влияние ширины барьера в структуре с двумя асимметричными связанными квантовыми ямами на область существования пассивной синхронизации мод”, Письма в ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 7,страницы 31

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Влияние ширины барьера в структуре с двумя асимметричными связанными квантовыми ямами на область существования пассивной синхронизации мод

М. С. Буяло^abc, А. А. Горбацевич^abc, А. Ю. Егоров^abc, И. М. Гаджиев^abc, И. О. Бакшаев^abc, Ю. М. Задиранов^abc, Н. Д. Ильинская^abc, Е. Л. Портной^abc

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^c Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)

Аннотация: Исследованы двухсекционные полупроводниковые лазеры с активной областью, состоящей из двух квантовых ям InGaAs различной ширины, разделенных барьером GaAs. При толщине барьера 2 nm происходит туннельное связывание ям, что обусловливает наличие непрямого оптического перехода между ними. Соответствующий этому переходу пик в спектре поглощения лазерной структуры приводит к дополнительной области существования режима пассивной синхронизации мод при малых обратных смещениях на поглощающей секции.

Поступила в редакцию: 17.11.2011