С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, С. Г. Жуков, Е. Е. Заварин, В. В. Лундин, М. А. Синицын, М. М. Рожавская, А. Ф. Цацульников, С. И. Трошков, Н. А. Феоктистов, “Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 6,страницы 90

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния

С. А. Кукушкин^ab, А. В. Осипов^ab, С. Г. Жуков^ab, Е. Е. Заварин^ab, В. В. Лундин^ab, М. А. Синицын^ab, М. М. Рожавская^ab, А. Ф. Цацульников^ab, С. И. Трошков^ab, Н. А. Феоктистов^ab

^a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Впервые выращена светодиодная структура на основе III-нитридов на подложке кремния (111) с использованием нанослоя SiC (50–200 nm), полученного методом твердофазной эпитаксии. При этом достигается рекордно низкая плотность дислокаций несоответствия решеток $<$ 10$^8$ cm$^{-2}$ при общей плотности дислокаций $\sim$8 $\cdot$ 10$^8$ cm$^{-2}$. Измерены спектры фото- и электролюминесценции полученных структур.

Поступила в редакцию: 15.11.2011