Эта публикация цитируется в 1 статье

Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия

В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. М. Рожавская, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, М. А. Синицын, Д. В. Давыдов, М. М. Кулагина, П. Н. Брунков, А. Ф. Цацульников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведено формирование эпитаксиальных структур GaN методом латерального эпитаксиального разращивания, при котором GaN выращивается в полосковых окнах на частично маскированном исходном слое GaN. Установлено, что, помимо традиционной ориентации полосков поперек оси с GaN, данный процесс возможен при ориентации полосков под углом 45$^\circ$ к оси $c$. В этом случае возможно проведение двух процессов латерального разращивания во взаимно перпендикулярных направлениях, что существенно снижает относительную площадь несовершенного материала, формирующегося над окнами в маске.

Поступила в редакцию: 14.11.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:3, 265–267

Реферативные базы данных:

•