Эта публикация цитируется в 2 статьях

О генерации (усилении) терагерцового излучения в процессе резонансного возбуждения экситонов в полупроводниках

П. И. Хаджи^a, И. В. Белоусов^a, А. В. Коровай^b, Д. А. Марков<sup>b

a</sup> Институт прикладной физики АН Молдовы, г. Кишинев
^b Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, г. Тирасполь

Аннотация: Предложен и изучен новый механизм генерации терагерцового излучения в полупроводниках, использующий квантовые переходы между двухэкситонным и биэкситонным состояниями в условиях однофотонного возбуждения экситонов из основного состояния кристалла.

Поступила в редакцию: 01.11.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:3, 261–264

Реферативные базы данных:

•