Эта публикация цитируется в 2 статьях

Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSb(P) с длинноволновой границей чувствительности 5.8 $\mu$m

Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлен анализ параметров фотодиодов на основе градиентных твердых растворов InAsSb(P) с длинноволновой границей чувствительности 5.8 $\mu$m с различной геометрией непрозрачного контакта на освещаемой поверхности $p$-InAsSb(P). Показано, что чувствительность (эффективность сбора фототока) напрямую зависит от периметра этого контакта; в фотодиодах с развитой структурой контакта, т. е. с увеличенными периметром и площадью, реализуется повышенная пороговая чувствительность даже при имеющем место увеличении степени затенения (экранирования) освещаемой поверхности непрозрачным контактом.

Поступила в редакцию: 05.10.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:3, 242–244

Реферативные базы данных:

•