Эта публикация цитируется в 1 статье

Формирование и свойства тонких пленок силицидов железа на поверхности Si(111): моделирование из первых принципов

И. А. Куянов^ab, А. А. Алексеев^ab, А. В. Зотов<sup>ab

a</sup> Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^b Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, г. Владивосток

Аннотация: В приближении обобщенного градиента теории функционала плотности были проведены расчеты полной энергии, а также моделировалось атомное строение и электронная структура тонких пленок FeSi со структурой типа CsCl и $\gamma$-FeSi$_2$ со структурой CaF$_2$ на поверхности Si(111). Показано, что при адсорбции 2 монослоев атомов железа наиболее энергетически выгодным является рост пленки $\gamma$-FeSi$_2$ со структурой CaF$_2$. Электронная структура силицидной пленки, формирующейся при напылении 1 монослоя атомов железа, имеет особенности, характерные как для FeSi, так и для $\gamma$-FeSi$_2$. Рассчитанная плотность электронных состояний пленки $\gamma$-FeSi$_2$ хорошо согласуется с известными из литературы фотоэмиссионными спектрами.

Поступила в редакцию: 11.10.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:3, 215–217

Реферативные базы данных:

•