Анализ дефектной структуры приповерхностных слоев проводящих материалов с помощью эффекта электронного туннелирования

И. В. Бойло, М. А. Белоголовский

Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина, г. Донецк

Аннотация: Предложен общий подход к расчету туннельных характеристик гетероструктур с наноразмерными разупорядоченными пленками изолятора, основанный на учете эффектов упругого и неупругого туннелирования. Показано, что нахождение показателя степени в зависимости дифференциальной проводимости таких контактов от напряжения, измеренной при низких температурах, позволяет выяснить структуру переходного слоя между металлическими электродами. В качестве примера приведен анализ туннельных кривых для контактов серебра с проводящими пленками манганитов и купратов.

Поступила в редакцию: 27.09.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:2, 193–195

Реферативные базы данных:

•